SK hynix, akıllı telefonlar için dünyanın ilk 321 katmanlı UFS 4.1 TLC NAND flaşını duyurdu. SSD seviyesinde peformans sunan belleğin özellikleri neler?

[Only registered and activated users can see links. Click Here To Register...]

SK hynix, akıllı telefonlar için dünyanın ilk 321 katmanlı UFS 4.1 TLC NAND flaşını duyurdu. Şirket,*yeni NAND çiplerinin önceki nesilden %15 daha ince olduğunu ve düşük güçte sınıfının en iyi sıralı okuma performansını sunduğunu söylüyor.

PCIe NVMe SSD seviyesinde performans

238 katmana sahip önceki nesille karşılaştırıldığında, bu yeni depolama yongaları %15 daha yüksek rastgele okuma ve %40 daha yüksek rastgele yazma hızlarına sahip. Sıralı okumalar performansı ise 4,3 GB/sn'e kadar çıkabiliyor. Öyle ki, bu performans*PCIe NVMe Gen 3 SSD'leri dahi aşabiliyor.

Güney Koreli üretici, performansı arttırken NAND paketini de incelterek 1 mm'den 0,85 mm kalınlığa düşürmeyi başarmış. Ayrıca önceki nesle göre güç tüketimini %7 azaltmış. SK Hynix, sıralı okuma hızının cihaz içi yapay zeka performansını artıracağını ve iyileştirilmiş rastgele performansın çoklu görevlerde avantaj sağlayacağını belirtiyor.

Şirket, depolama birimini*512 GB ve 1 TB olmak üzere iki kapasitede üretecek. Dolayısıyla yeni çip üst seviye telefonlarda*kendine yer bulacak.*SK Hynix, bu yıl akıllı telefon üreticilerinden sipariş almayı ve gelecek yılın başında sevkiyatlara başlamayı planlıyor.

donanimhaber.com